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  • 二氧化锗
  • 纯度 ≥99.999%(分析14种杂质元素) 烧损(820℃)≤0.6%(最大) 粒度 ≤50微米 用于制定取锗锭、有机锗、锗酸铋晶体、催化剂、荧光粉和锗玻璃等原料。
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  • 纯度 ≥99.999%(分析14种杂质元素) 烧损(820℃)≤0.6%(最大) 粒度 ≤50微米 用于制定取锗锭、有机锗、锗酸铋晶体、催化剂、荧光粉和锗玻璃等原料。
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